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將膨脹過程中產生的碎屑向下滴落，并抑制膨脹后對芯片的粘附。

通過電機控制實現高精度的磁帶擴展，實現更均勻和連續的擴展。
? 平臺行程 0 至 50 mm
? 膨脹速度 0.1 mm / sec ~
可設置 可設置低行程膨脹和低速膨脹等廣泛的膨脹配方。（* 專利申請中）

膨脹過程中的工件用離子發生器的靜電消除空氣進行清潔。有效防止顆粒粘附。

配備可設置為 MAX 100°C 的載物臺。